2019年1月30日，《先进电子材料》（Advanced Electronic Materials）在线发表了课题组论文 “一种基于自旋轨道力矩的忆阻器”(A Spin-Orbit-Torque Memristive Device. DOI:10.1002/aelm.201800782)，并选为内封面文章。18级博士生张帅为论文第一作者，游龙教授为论文通信作者。

在重金属/铁磁结构中，铁磁层中的磁化翻转可以表现为自旋轨道力矩（SOT）驱动畴壁移动。畴壁移动速度受电流大小的影响，移动距离受到电流施加时间的影响。不同位置的畴壁一一对应不同的反常霍尔电阻，畴壁的连续移动将会导致反常霍尔电阻的连续变化。另外，DMI作用导致的畴壁倾斜使得探测的反常霍尔电压信号变化缓慢，反常霍尔电阻的变化也更加连续，更有利于实现电流对其的调控。在平面磁场的辅助下，电流的极性、幅值、脉冲宽度、施加脉冲数可以调控畴壁位置，进而得到连续的、非易失的反常霍尔电阻态，中间态可以用于存储突触权重，从而实现了忆阻器的功能。