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【Nano Letters】基于电子自旋的低功耗信息安全器件及系统

【来源:光学与电子信息学院 | 发布日期:2018-11-01 】

2018年10月26日,《纳米快报》(Nano Letters)在线发表了课题组论文 “基于界面磁各向异性的高安全性物理不可克隆加密原型器件及系统”(Highly Secure Physically Unclonable Cryptographic Primitives Based on Interfacial Magnetic Anisotropy. DOI:10.1021/acs.nanolett.8b03338)。16级硕士生陈惠明、博士后郭喆,湖北大学宋敏老师为论文共同第一作者,游龙教授为论文通信作者。

该论文研究了磁性材料中常用的Ta/CoFeB/MgO垂直异质结薄膜的磁各向异性与MgO厚度的关系,发现MgO厚度亚纳米级别的厚度变化就会引起该异质结磁性能的巨大变化,这种变化来源于退磁场与CoFeB/MgO界面各向异性场的竞争。利用氩离子刻蚀自身存在的不均匀性,上述异质结薄膜在同时刻蚀时各处的MgO厚度会发生随机变化。这种随机变化人为无法控制也无法复制,因此相当于成为该器件的磁性“指纹”。通过反常霍尔效应可以精确地探测这种随机变化,从利用该随机变化制备的物理不可克隆函数(PUF)器件阵列提取出的随机密钥具有高安全性和稳定性,在信息加密领域具有重要应用。

该研究的创新之处在于解决了传统硅基PUF容易被破解的问题,传统的硅基PUF由于利用晶体管的延时特性,其容易被机器学习且易破解。而先前人们提出的基于传统磁性随机存储器(MRAM)的PUF器件则通常需要加大电流或者外加磁场才能捕获器件的随机性。游龙团队提出的方案则无需大电流或外磁场写入,大大降低了器件的集成复杂度和功耗。另一方面,该自旋PUF不同于以往常用的数字PUF,其提取的模拟磁电阻值通过比较算法可以产生比传统的二进制数字PUF大得多的密钥长度,大大地提高了器件安全性。

该研究得到国家自然基金委面上项目和创新群体项目(61674062、61821003)以及中央高校基本研究专项资金(HUST:2018KFYXKJC019)等的资助。